首先要了解的是，产业猫咪粑粑硬的原因。
图7铸态基和掺-B难熔高熵合金的相组成和力学性能新型合金设计策略，格全硅片实现2GPa近理论强度。线下高/中熵合金(H/MEA)具有固有的局部化学有序。
在这项工作中，调电池大作者报告了一种高熵合金，其组成元素具有大的原子尺寸偏差，原子之间的错配度非常大。片跌研究表明：该合金在室温下表现出较高的弹性应变极限(约2%)和极低的内耗。本文的研究进一步推进了对铝合金中H辅助脆化机理的理解，幅扩强调了H陷阱在减少开裂和指导新合金设计方面的作用。
产业该研究直接观察到了沿着GB的原子运动或原子的滑动穿越GB面。格全硅片图6金属/钝化膜界面的晶面重构。
另外，线下纯金属通常还具有相对较低的再结晶温度，硬度远较合金低。
同时，调电池大本工作使用的晶面工程结晶学降低了无源电流密度，使点蚀电位升高。Backstress如果能阻碍位错开动，片跌它就是一种硬化效应(抑制部分滑移系开动)，反之就是软化（促进位错滑移系开动）。
也就是卸载阶段，幅扩在介观尺度上出现反向的塑性变形行为。如果backstress效应明显(位错尺度的长程作用力的极化效应明显)，产业它会在外力卸载的时候，出现非线性。
比如在原子尺度或位错尺度上的计算，格全硅片不需要考虑Backstress。近期，线下北京科技大学的解清阁副研究员和王沿东教授，线下联合芬兰，爱尔兰和匈牙利的同事，通过多尺度模拟和介观组织数字孪生技术，回答了下述关键科学问题: (1)Backstress的物理本质是什么？(2)为什么Backstress在多尺度模型中是必须的？(3)Backstress具备的基本物理属性，和(4)Backstress和介观组织及微观力学行为的关联性。